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普通硅二极管与肖特基二极管究竟有何异同-东莞

来源:[db:文章来源]点击: 发布时间:2019-12-08
问:通俗硅二极管与肖特基二极管的异同?
  答:两种二极管都是单领导电,可用于整流场所。
  区分是通俗硅二极管的耐压可以做得较高,可是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,假如是高频的就会由于没法快速恢复而产生反向漏电,最后致使管子严重发烧销毁;肖特基二极管的耐压能常较低,可是它的恢复速度快,可以用在高频场所,故开关电源采取此种二极管作为整流输出用,虽然如斯,开关电源上的整流管温度仍是很高的。
  肖特基二极管是以其发现人肖特基博士(Schottky)定名的,是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。
  和其他的二极管比起来,肖特基二极管有甚么特殊的呢?
  SBD不是操纵P型半导体与N型半导体接触构成PN结道理建造的,而是操纵金属与半导体接触构成的金属-半导体结道理建造的。是以,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或概况势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
  典型的肖特基整流管的内部电路布局是以N型半导体为基片,在上面构成用砷作搀杂剂的N-外延层。阳极利用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消弭边沿区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其搀杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边构成N+阴极层,其感化是减小阴极的接触电阻。经由过程调剂布局参数,N型基片和阳极金属之间便构成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两头加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两头加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变年夜。
  肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无多余少数载流子的堆集,是以,不存在电荷贮存问题(Qrr→0),使开关特征取得时显改良。其反向恢复时候已能缩短到10ns之内。但它的反向耐压值较低,一般不跨越去时100V.是以适合在低压、年夜电流环境下工作。操纵其低压降这特点,能提凹凸压、年夜电流整流(或续流)电路的效力。
  操纵金属与半导体接触构成肖特基势垒组成的微波二极管称为肖特基势垒二极管。led灯珠灯泡这类器件对外首要显现非线性电阻特征是组成微波混频器、检波器和微波开关等的焦点元件。

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