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发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物知识-东莞晶瀚光电

来源:[db:文章来源]点击: 发布时间:2019-10-27
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体系体例成的,其焦点是PN结。是以它具有一般P-N结的I-N特征,即正领导通,反向截止、击穿特征。另外,在必然前提下,它还具有发光特征。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部门与大都载流子(多子)复合而发光。
假定发光是在P区中产生的,那末注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或先被发光中间捕捉后,再与空穴复合发光。除这类发规复合外,还有些电子被非发光中间(这个中间介于导带、介带中心四周)捕捉,尔后再与空穴复合,每次释放的能量不年夜,不克不及构成可见光。发光的复合量相对非发规复合量的比例越年夜,光量子效力越高。因为led灯珠生产厂商复合是在少子分散区内发光的,所以光仅在接近PN结面数μm之内发生。
理论和实践证实,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单元为电子伏特(eV)。若能发生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。此刻已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但此中蓝光二极管本钱、价钱很高,利用不遍及。

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